近期，micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)頻頻迎來突破進(jìn)展消息。

利亞德日前召開發(fā)布會(huì)，發(fā)布“利亞德黑鉆”系列Micro-LED技術(shù)及新品。公司表示，巨量轉(zhuǎn)移良率大幅提升，PCB基巨量良率已提升至99.995%，半導(dǎo)體級(jí)轉(zhuǎn)移良率邁向99.999%。海通證券指出，隨著利亞德在COG、量子點(diǎn)等技術(shù)上的投入，未來產(chǎn)品成本有望大幅降低。

同時(shí)，深康佳也在6月28日的機(jī)構(gòu)調(diào)研中透露，公司在自主開發(fā)的“混合式巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)”上有所突破，轉(zhuǎn)移良率達(dá)99.9%，試產(chǎn)階段效果較好。

【資料圖】

6月17日，廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所也已發(fā)布其半導(dǎo)體所新型顯示團(tuán)隊(duì)在微器件巨量組裝和集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展的研究成果?；诠獯碳ふ{(diào)控光敏聚合物的表面形貌和界面粘附力，實(shí)現(xiàn)微器件巨量轉(zhuǎn)移。

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是什么？

華創(chuàng)證券、安信證券及頭豹研究所此前均指出，巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)堪稱micro-LED量產(chǎn)化應(yīng)用的關(guān)鍵一步，也是micro-LED降低成本的“最關(guān)鍵環(huán)節(jié)”。

完成微米級(jí)micro-LED晶粒制作后，巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)可將數(shù)百萬甚至數(shù)千萬顆微米級(jí)的LED晶?？焖偾揖珳?zhǔn)地轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)電路基板上，并與驅(qū)動(dòng)電路之間形成良好的電氣連接和機(jī)械固定。

以4K電視為例，4K通常指4096x2160分辨率，假設(shè)每像素點(diǎn)為三個(gè)R/G/B晶粒，制作一臺(tái)4K電視便需轉(zhuǎn)移高達(dá)2600萬顆晶?！词姑看无D(zhuǎn)移1萬顆，也需重復(fù)2400次。

目前，業(yè)內(nèi)主要有激光選擇性釋放、靜電力吸附、流體裝配、彈性印模、滾軸轉(zhuǎn)印等幾種技術(shù)方式，3D-Micromac、LuxVux、eLux、XDC等廠商也已陸續(xù)推出相關(guān)巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備。

安信證券指出，若巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)設(shè)備可達(dá)到大規(guī)模商用要求，將加速micro-LED商業(yè)化落地進(jìn)程，打開市場空間。

Micro-LED商業(yè)化有望加速落地

Micro- LED則被機(jī)構(gòu)稱作“未來最具潛力的新型顯示技術(shù)”，在小尺寸穿戴、VR/AR、手機(jī)、平板和 TV 等各顯示領(lǐng)域都具有極高的應(yīng)用潛力。LED Inside預(yù)測，2025年micro-LED市場產(chǎn)值將達(dá)28.91億美元。

其中在VR/AR領(lǐng)域，目前Fast-LCD與micro-OLED為兩種主流方案，均具備較好的量產(chǎn)性。相較這兩種方案，micro-LED具備低功耗、高亮度、高對(duì)比度、反應(yīng)速度快、厚度薄等多重性能優(yōu)勢，具備良好前景。

此前業(yè)內(nèi)已有消息傳出，蘋果的VR設(shè)備或?qū)⒋钶dmicro-LED屏幕，并要求供應(yīng)商提供相關(guān)樣品。

不過，micro-LED量產(chǎn)難度較高，正如上文所言，機(jī)構(gòu)指出，此前巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)尚未突破，成為micro-LED量產(chǎn)化應(yīng)用的一大瓶頸。而若巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)設(shè)備可達(dá)到大規(guī)模商用要求，將加速micro-LED商業(yè)化落地進(jìn)程。

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（文章來源：財(cái)聯(lián)社）